RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Comparar
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Pontuação geral
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
16.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,784.6
12.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
34
65
Por volta de -91% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
6400
Por volta de 3.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
65
34
Velocidade de leitura, GB/s
4,806.8
16.4
Velocidade de escrita, GB/s
2,784.6
12.1
Largura de banda de memória, mbps
6400
21300
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
932
2616
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Comparações de RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
Qimonda 72T256420HFD3SA 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2Z4000C18 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Kingston HP32D4U8S8HD-8X 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7Z0B 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMK32GX4M4B4000C19 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link