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Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Confronto
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
16.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,784.6
12.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
34
65
Intorno -91% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
65
34
Velocità di lettura, GB/s
4,806.8
16.4
Velocità di scrittura, GB/s
2,784.6
12.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
932
2616
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
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Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
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