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Samsung M3 78T6553EZS-CF7 512MB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Comparar
Samsung M3 78T6553EZS-CF7 512MB vs SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T6553EZS-CF7 512MB
Pontuação geral
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T6553EZS-CF7 512MB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
16.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,021.5
10.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
34
47
Por volta de -38% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
6400
Por volta de 4 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T6553EZS-CF7 512MB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
47
34
Velocidade de leitura, GB/s
3,575.4
16.7
Velocidade de escrita, GB/s
2,021.5
10.6
Largura de banda de memória, mbps
6400
25600
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
563
2789
Samsung M3 78T6553EZS-CF7 512MB Comparações de RAM
Corsair CM5S16GM4800A40N2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB Comparações de RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB
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Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMH32GX4M4E3200C16 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
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