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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
Comparar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
Pontuação geral
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
18.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,622.0
13.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
22
77
Por volta de -250% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
77
22
Velocidade de leitura, GB/s
3,405.2
18.8
Velocidade de escrita, GB/s
2,622.0
13.5
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
763
3310
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
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Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
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SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-DA---------- 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6BFR8C
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