RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
Comparar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
21.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,622.0
17.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
21
77
Por volta de -267% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
77
21
Velocidade de leitura, GB/s
3,405.2
21.4
Velocidade de escrita, GB/s
2,622.0
17.6
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
763
3954
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB Comparações de RAM
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E84-3000D 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
PNY Electronics PNY 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston KY7N41-MIE 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Kingston KHX2400C15/16G 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
JUHOR JHD2666U1916JG 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link