RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Comparar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Pontuação geral
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
37
77
Por volta de -108% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
9.5
3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.7
2,622.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
77
37
Velocidade de leitura, GB/s
3,405.2
9.5
Velocidade de escrita, GB/s
2,622.0
7.7
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
763
1949
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB Comparações de RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3466C16W 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
Unigen Corporation U51U7200N8DD-BDH 4GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Apacer Technology D12.2326WH.001 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link