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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Comparar
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Pontuação geral
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Pontuação geral
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
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Razões a considerar
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
35
Por volta de -35% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.6
14.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.8
9.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
35
26
Velocidade de leitura, GB/s
14.4
14.6
Velocidade de escrita, GB/s
9.5
11.8
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2321
3124
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Comparações de RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB Comparações de RAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
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Kingston 9905630-048.A00G 16GB
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