RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Porównaj
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
35
Wokół strony -35% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.6
14.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
26
Prędkość odczytu, GB/s
14.4
14.6
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
11.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2321
3124
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
AMD R7416G2133U2S 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3200C22-32GRS 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905665-009.A00G 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link