RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Comparar
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB vs InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Pontuação geral
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Pontuação geral
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
85
Por volta de 68% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.4
11.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.4
6.0
Valor médio nos testes
Razões a considerar
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
85
Velocidade de leitura, GB/s
13.4
11.3
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
6.0
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2275
1118
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB Comparações de RAM
Samsung M391B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMR32GX4M2C3333C16 16GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Avant Technology W641GU48J5213ND 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
Kingston 9965600-027.A01G 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link