RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Сравнить
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB против InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Средняя оценка
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
85
Около 68% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.4
11.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.4
6.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
85
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
11.3
Скорость записи, Гб/сек
8.4
6.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2275
1118
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB Сравнения RAM
Samsung M391B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMR32GX4M2C3333C16 16GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD2 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMR16GX4M2C 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMW64GX4M4A2666C16 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link