RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB
Comparar
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB
Pontuação geral
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Pontuação geral
Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
35
Por volta de 26% menor latência
Razões a considerar
Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.5
12.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.7
9.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
35
Velocidade de leitura, GB/s
12.8
16.5
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
14.7
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2143
3534
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparações de RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FJ 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Kingston KHX2933C15D4/8GX 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMD32GX4M2A2666C15 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link