RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB
Сравнить
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB против Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB
-->
Средняя оценка
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Средняя оценка
Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
35
Около 26% меньшая задержка
Причины выбрать
Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.5
12.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.7
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
35
Скорость чтения, Гб/сек
12.8
16.5
Скорость записи, Гб/сек
9.0
14.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2143
3534
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Сравнения RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Essencore Limited KD48GU88A-26N1600 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Avant Technology J642GU42J2320NQ 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Kingston 9905744-077.A00G 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3400C16 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link