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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
Comparar
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
Pontuação geral
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
29
Por volta de 10% menor latência
Razões a considerar
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.3
12.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.8
9.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
29
Velocidade de leitura, GB/s
12.8
17.3
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
10.8
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2143
3111
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparações de RAM
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Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C15 8GB
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