RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
Сравнить
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB против Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
29
Около 10% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.3
12.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.8
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
29
Скорость чтения, Гб/сек
12.8
17.3
Скорость записи, Гб/сек
9.0
10.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2143
3111
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Сравнения RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Avant Technology J644GU44J9266NQ 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C16 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Kingston 9905622-024.A00G 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston 9905630-063.A00G 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston XN205T-MIE2 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link