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Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Comparar
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB vs SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Pontuação geral
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Pontuação geral
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
52
Por volta de 46% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.3
10.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.5
7.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
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Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
52
Velocidade de leitura, GB/s
13.3
10.4
Velocidade de escrita, GB/s
8.5
7.6
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2213
2384
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB Comparações de RAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KB5 1GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
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