RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Comparar
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Pontuação geral
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Pontuação geral
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
49
Por volta de -75% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.5
10.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.3
8.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
17000
Por volta de 1.51 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
49
28
Velocidade de leitura, GB/s
10.9
17.5
Velocidade de escrita, GB/s
8.7
15.3
Largura de banda de memória, mbps
17000
25600
Other
Descrição
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tempos / Velocidade do relógio
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2427
3673
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB Comparações de RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston 9905624-014.A00G 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.16FB 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBR2 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBR2 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Kingston 9965596-029.B00G 4GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link