RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
Comparar
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
Pontuação geral
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
16
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
31
73
Por volta de -135% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.1
1,423.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
5300
Por volta de 3.62 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
73
31
Velocidade de leitura, GB/s
3,510.5
16.0
Velocidade de escrita, GB/s
1,423.3
13.1
Largura de banda de memória, mbps
5300
19200
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
476
2999
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Comparações de RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 9905663-012.A00G 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Kingston HP26D4S9S8ME-8 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3466C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Inmos + 256MB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link