RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
Сравнить
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB против Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
16
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
73
Около -135% меньшая задержка
Выше скорость записи
13.1
1,423.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
73
31
Скорость чтения, Гб/сек
3,510.5
16.0
Скорость записи, Гб/сек
1,423.3
13.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
476
2999
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMK32GX4M4C3333C16 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905663-012.A00G 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180U 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 99U5713-003.A00G 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link