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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Comparar
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Pontuação geral
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
15.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
73
Por volta de -192% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.0
1,423.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
5300
Por volta de 3.62 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
73
25
Velocidade de leitura, GB/s
3,510.5
15.2
Velocidade de escrita, GB/s
1,423.3
12.0
Largura de banda de memória, mbps
5300
19200
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
476
2740
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Comparações de RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
UMAX Technology 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
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