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Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Comparar
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Pontuação geral
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Pontuação geral
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
14.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
36
64
Por volta de -78% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.5
1,869.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
64
36
Velocidade de leitura, GB/s
4,477.7
14.9
Velocidade de escrita, GB/s
1,869.1
10.5
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
697
2589
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB Comparações de RAM
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
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Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8XR 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-4G 4GB
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