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Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
比较
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
总分
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
总分
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
14.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
36
64
左右 -78% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
10.5
1,869.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
64
36
读取速度,GB/s
4,477.7
14.9
写入速度,GB/s
1,869.1
10.5
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
697
2589
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19/16G 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
A-DATA Technology AD5U480016G-B 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905711-035.A00G 8GB
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