Comparação RAM Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB

Pontuação geral

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Pontuação geral

Diferenças Especificações Comentários

Razões a considerar
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Velocidade de leitura mais rápida, GB/s

15.5 8.2

Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s

12.0 5.2

Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps

25600 14900

Por volta de 1.72% maior largura de banda

Razões a considerar
Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB

Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns

32 38

Por volta de -19% menor latência

Lista completa de especificações técnicas

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB

Características principais

Other

Descrição

PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
Tempos / Velocidade do relógio

20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz 9-10-9-28 / 1866 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)

2283 1409

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns