RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Comparar
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Pontuação geral
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Pontuação geral
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
33
44
Por volta de -33% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.1
13
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.7
8.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
44
33
Velocidade de leitura, GB/s
13.0
16.1
Velocidade de escrita, GB/s
8.2
12.7
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2069
3181
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB Comparações de RAM
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston KHX3466C17D4/16GX 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB
Kingston 99P5471-043.A00LF 8GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston 9905700-024.A00G 8GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMK16GX4M1D3000C16 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Kingston 9905624-044.A00G 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link