RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
Comparar
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
Pontuação geral
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Pontuação geral
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
45
Por volta de -67% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17
12.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.7
8.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
45
27
Velocidade de leitura, GB/s
12.3
17.0
Velocidade de escrita, GB/s
8.0
13.7
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1992
3323
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAR 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link