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Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Comparar
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB vs SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Pontuação geral
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Pontuação geral
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
38
101
Por volta de 62% menor latência
Razões a considerar
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.2
7.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.0
3.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
38
101
Velocidade de leitura, GB/s
7.2
14.2
Velocidade de escrita, GB/s
3.0
7.0
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
915
1313
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB Comparações de RAM
Samsung M471B5773DH0-YK0 2GB
Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
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Kingston K6VDX7-HYD 8GB
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