RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Сравнить
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB против SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Средняя оценка
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
38
101
Около 62% меньшая задержка
Причины выбрать
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.2
7.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
7.0
3.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
38
101
Скорость чтения, Гб/сек
7.2
14.2
Скорость записи, Гб/сек
3.0
7.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
915
1313
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-YK0 2GB
Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHA0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link