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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Comparar
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Pontuação geral
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Pontuação geral
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
15.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,076.1
11.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
34
59
Por volta de -74% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
6400
Por volta de 3.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
59
34
Velocidade de leitura, GB/s
4,723.5
15.3
Velocidade de escrita, GB/s
2,076.1
11.7
Largura de banda de memória, mbps
6400
21300
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
741
2962
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB Comparações de RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB Comparações de RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
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