RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Comparar
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Pontuação geral
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Pontuação geral
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
16.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
50
Por volta de -85% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.2
1,457.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
50
27
Velocidade de leitura, GB/s
3,757.3
16.4
Velocidade de escrita, GB/s
1,457.4
11.2
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
557
2632
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Comparações de RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C18 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905670-012.A00G 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/8G 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link