RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Pontuação geral
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
49
Por volta de 51% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16
8.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.5
8.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
19200
Por volta de 1.11 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
24
49
Velocidade de leitura, GB/s
16.0
8.8
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
8.4
Largura de banda de memória, mbps
19200
21300
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2925
2331
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparações de RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link