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Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
Comparar
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB vs G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
Pontuação geral
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
31
Por volta de 19% menor latência
Razões a considerar
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.9
12.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.1
7.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
25
31
Velocidade de leitura, GB/s
12.6
16.9
Velocidade de escrita, GB/s
7.7
12.1
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1381
2577
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB Comparações de RAM
AMD R334G1339U2S 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
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G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
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Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
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