Comparação RAM Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB

Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB

Pontuação geral

Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB

Pontuação geral

Diferenças Especificações Comentários

Razões a considerar
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB

Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns

25 27

Por volta de 7% menor latência

Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB

Velocidade de leitura mais rápida, GB/s

14.6 12.6

Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s

10.5 7.7

Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps

17000 10600

Por volta de 1.6 maior largura de banda

Lista completa de especificações técnicas

Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB

Características principais

Other

Descrição

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio

7-7-7-20 / 1333 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)

1381 2409

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns