RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Сравнить
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB против Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Средняя оценка
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
41
42
Около 2% меньшая задержка
Причины выбрать
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.7
14
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.4
8.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
10600
Около 2.42 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
41
42
Скорость чтения, Гб/сек
14.0
15.7
Скорость записи, Гб/сек
8.5
12.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
25600
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2324
2352
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB Сравнения RAM
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Kingston 9905624-004.A00G 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Apacer Technology D12.2324WT.001 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
Kingston 9905663-030.A00G 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMT32GX4M4C3000C15 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link