RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Сравнить
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB против Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Средняя оценка
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
56
68
Около 18% меньшая задержка
Выше скорость чтения
4
16.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
8.9
1,925.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
56
68
Скорость чтения, Гб/сек
4,315.2
16.9
Скорость записи, Гб/сек
1,925.7
8.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
658
2007
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB Сравнения RAM
ProMos/Mosel Vitelic V916764K24QAFW-F5 512MB
Kingston DNU540DR4NABND1 2GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston 9905703-008.A00G 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston 9905663-007.A00G 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
JUHOR JHD3000U1908JG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK64GX4M4A2400C16 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Golden Empire CL17-17-17 D4-2400 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHMB 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link