RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Сравнить
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB против Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Средняя оценка
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
56
68
Около 18% меньшая задержка
Выше скорость чтения
4
16.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
8.9
1,925.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
56
68
Скорость чтения, Гб/сек
4,315.2
16.9
Скорость записи, Гб/сек
1,925.7
8.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
658
2007
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB Сравнения RAM
ProMos/Mosel Vitelic V916764K24QAFW-F5 512MB
Kingston DNU540DR4NABND1 2GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
G Skill Intl F3-2400C10-8GTX 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CMK16GX4M2D3200C16 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16XR 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BUYS 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston K821PJ-MIH 16GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
Kingston ACR512X64D3S16C11G 4GB
Samsung M471B5173CB0-YK0 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link