RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Сравнить
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB против Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Средняя оценка
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
11
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
46
56
Около -22% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.7
1,925.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
56
46
Скорость чтения, Гб/сек
4,315.2
11.0
Скорость записи, Гб/сек
1,925.7
8.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
658
2481
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB Сравнения RAM
ProMos/Mosel Vitelic V916764K24QAFW-F5 512MB
Kingston DNU540DR4NABND1 2GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Kingston K000MD44U 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Super Talent F24SB8GH 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston KHX2400C14/16G 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link