RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
Сравнить
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB против G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
19.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
52
Около -79% меньшая задержка
Выше скорость записи
16.0
1,145.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
4200
Около 4.05 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
52
29
Скорость чтения, Гб/сек
2,614.5
19.3
Скорость записи, Гб/сек
1,145.9
16.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
4200
17000
Other
Описание
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
4-4-4-12 / 533 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
409
3687
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB Сравнения RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMT32GX4M4K4000C19 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link