RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Сравнить
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB против Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Средняя оценка
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
52
Около -63% меньшая задержка
Выше скорость чтения
22.6
2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.4
1,145.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
4200
Около 5.07 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
52
32
Скорость чтения, Гб/сек
2,614.5
22.6
Скорость записи, Гб/сек
1,145.9
16.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
4200
21300
Other
Описание
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 3
Тайминги / частота
4-4-4-12 / 533 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
409
3837
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB Сравнения RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB Сравнения RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Corsair CMK64GX4M2E3200C16 32GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link