RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
Сравнить
A-DATA Technology DQVE1908 512MB против G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
19.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
66
Около -164% меньшая задержка
Выше скорость записи
15.5
1,557.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
66
25
Скорость чтения, Гб/сек
2,775.5
19.4
Скорость записи, Гб/сек
1,557.9
15.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
382
3673
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Сравнения RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Ramaxel Technology RMUA5180ME78HBF-2666 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link