RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Сравнить
A-DATA Technology DQVE1908 512MB против Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Средняя оценка
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
18.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
66
Около -187% меньшая задержка
Выше скорость записи
15.0
1,557.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
66
23
Скорость чтения, Гб/сек
2,775.5
18.1
Скорость записи, Гб/сек
1,557.9
15.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
382
3317
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Сравнения RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Corsair CM4X16GC3200C16K4 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston 9905668-002.A00G 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
Corsair CMT16GX4M2Z3200C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link