RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Сравнить
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB против G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
17.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,061.2
14.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
46
Около -53% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
30
Скорость чтения, Гб/сек
4,937.3
17.3
Скорость записи, Гб/сек
2,061.2
14.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
759
3544
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston KMKYF9-MIH 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Corsair CMR64GX4M4C3466C16 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Corsair CM3X2G1600C9 2GB
Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4000C19 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3200C16 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381S 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link