RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
Сравнить
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB против G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
21.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,061.2
17.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
46
Около -59% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
29
Скорость чтения, Гб/сек
4,937.3
21.3
Скорость записи, Гб/сек
2,061.2
17.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
759
4506
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston HX432C15PB3/16 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9965640-006.A01G 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link