RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Сравнить
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB против InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Средняя оценка
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
17.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,061.2
13.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
46
Около -109% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
22
Скорость чтения, Гб/сек
4,937.3
17.2
Скорость записи, Гб/сек
2,061.2
13.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
759
3007
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T2863RZS-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD21G8002 1GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHMB 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology AFLD48VH1P 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston 9965690-002.A00G 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link