RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Сравнить
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB против Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Средняя оценка
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
15
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,061.2
10.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
36
46
Около -28% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
36
Скорость чтения, Гб/сек
4,937.3
15.0
Скорость записи, Гб/сек
2,061.2
10.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
759
2247
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB Сравнения RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CM4X8GE2400C15K4 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kingston 9905701-021.A00G 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 9905599-025.A00G 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMK32GX4M2D3000C16 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link