RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Сравнить
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB против Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Средняя оценка
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
17.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,061.2
13.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
46
Около -109% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
22
Скорость чтения, Гб/сек
4,937.3
17.2
Скорость записи, Гб/сек
2,061.2
13.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
759
2989
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Kingston KHX2133C13S4/8G 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Essencore Limited IM44GU48N26-FFFHM 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston 9965640-013.A01G 32GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link