RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Сравнить
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB против Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
-->
Средняя оценка
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Средняя оценка
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
47
Около -52% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.5
11.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.5
9.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
47
31
Скорость чтения, Гб/сек
11.8
20.5
Скорость записи, Гб/сек
9.2
15.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
25600
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2323
3649
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Apacer Technology 78.CAGP7.DFW0C 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GVR 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Samsung M378B5273BH1-CH9 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Apacer Technology 78.C2GFP.C700B 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110MH78HAF-2666 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMZ32GX3M4A1866C10 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link