RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Сравнить
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB против Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
-->
Средняя оценка
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Средняя оценка
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.2
12.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
17.1
9.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
26
Скорость чтения, Гб/сек
12.6
17.2
Скорость записи, Гб/сек
9.5
17.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2174
3757
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Kingston 9905630-031.A00G 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston 9905701-003.A00G 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FD2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CM4X8GD3000C15K4 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMW128GX4M8C3000C16 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link