RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Porównaj
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Wynik ogólny
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Wynik ogólny
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.2
12.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.1
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
26
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
17.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2174
3757
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9965589-007.D01G 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Corsair CMU64GX4M4D3000C16 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Kingston 9905474-052.A00LF 2GB
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston KHX2666C13D4/8GX 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Kingston 9905743-023.A00G 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston KHX2400C14D4/16G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link