Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB против Corsair CMY8GX3M2A2666C12 4GB

-->

Средняя оценка

Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB

Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB

Средняя оценка

Corsair CMY8GX3M2A2666C12 4GB

Corsair CMY8GX3M2A2666C12 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB

Причины выбрать
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

17 22

Около 23% меньшая задержка
Выше скорость чтения

22.8 15.8

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

15.4 9.5

Среднее значение в тестах

Corsair CMY8GX3M2A2666C12 4GB

Причины выбрать
Corsair CMY8GX3M2A2666C12 4GB

Сообщить об ошибке

Спецификации

Полный список технических характеристик

Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB

Corsair CMY8GX3M2A2666C12 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR3
Задержка в PassMark, нс

17 22
Скорость чтения, Гб/сек

22.8 15.8
Скорость записи, Гб/сек

15.4 9.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 10600

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9 PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 7-7-7-20 / 1333 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

3391 2577

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB

A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB

Corsair CMD32GX4M2B2800C14 16GB

Corsair CMD32GX4M2B2800C14 16GB

модули RAM

PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB

PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB

Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FF 4GB

Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FF 4GB

модули RAM

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB

InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB

модули RAM

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB

Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB

G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB

модули RAM

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Corsair CMD128GX4M8B3200C16 16GB

Corsair CMD128GX4M8B3200C16 16GB

модули RAM

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB

G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB

модули RAM

Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB

Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB

Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB

Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB

модули RAM

A-DATA Technology DDR3 1600 4GB

A-DATA Technology DDR3 1600 4GB

Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB

Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB

модули RAM

A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB

A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB

Kingston 9905712-001.B00G 16GB

Kingston 9905712-001.B00G 16GB

модули RAM

A-DATA Technology DDR2 800G 2GB

A-DATA Technology DDR2 800G 2GB

Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB

Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB

модули RAM

Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB

Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB

Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB

Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB

модули RAM

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB

Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Kingston 9965589-035.D00G 16GB

Kingston 9965589-035.D00G 16GB

модули RAM