RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Сравнить
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB против Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
-->
Средняя оценка
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Средняя оценка
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
17
37
Около 54% меньшая задержка
Выше скорость чтения
22.8
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.4
12.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
17
37
Скорость чтения, Гб/сек
22.8
16.0
Скорость записи, Гб/сек
15.4
12.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3391
2808
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB Сравнения RAM
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Corsair CMH32GX4M4E3200C16 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ASU21D4U5S1MB-4 4GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBD2 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
Mushkin 991586 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link