Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB против Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB

-->

Средняя оценка

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Средняя оценка

Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB

Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Причины выбрать
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Сообщить об ошибке

Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB

Причины выбрать
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

28 37

Около -32% меньшая задержка
Выше скорость чтения

13.2 11.4

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

9.1 7.4

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 10600

Около 1.6 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

37 28
Скорость чтения, Гб/сек

11.4 13.2
Скорость записи, Гб/сек

7.4 9.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 17000

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1683 1989

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB

Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB

Corsair CMD32GX4M4B3600C16 8GB

Corsair CMD32GX4M4B3600C16 8GB

модули RAM

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB

модули RAM

Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB

Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB

G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB

G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB

модули RAM

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB

Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB

модули RAM

Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB

Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N

модули RAM

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB

SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB

Corsair CMK32GX4M2A2133C13 16GB

Corsair CMK32GX4M2A2133C13 16GB

модули RAM

AMD R5S38G1601U2S 8GB

AMD R5S38G1601U2S 8GB

Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB

Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

Ramaxel Technology RMSA3260ME78HAF-2666 8GB

Ramaxel Technology RMSA3260ME78HAF-2666 8GB

модули RAM

Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB

Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB

Kingston 9905622-057.A00G 4GB

Kingston 9905622-057.A00G 4GB

модули RAM

Kingston KTC1G-UDIMM 1GB

Kingston KTC1G-UDIMM 1GB

Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB

Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB

модули RAM

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Apacer Technology GD2.22428S.001 8GB

Apacer Technology GD2.22428S.001 8GB

модули RAM

Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB

Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB

Kingston KHX426C13/8G 8GB

Kingston KHX426C13/8G 8GB

модули RAM

Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB

Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB

Corsair CM4X16GE2400Z16K4 16GB

Corsair CM4X16GE2400Z16K4 16GB

модули RAM