Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB

Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB против Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB

Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB

Средняя оценка
star star star star star
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB

Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB

Различия

  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    34 left arrow 74
    Около 54% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    16.2 left arrow 13.6
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    9.7 left arrow 7.7
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    21300 left arrow 10600
    Около 2.01 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    34 left arrow 74
  • Скорость чтения, Гб/сек
    16.2 left arrow 13.6
  • Скорость записи, Гб/сек
    9.7 left arrow 7.7
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    10600 left arrow 21300
Other
  • Описание
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
  • Тайминги / частота
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2636 left arrow 1616
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения